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ŝƉĂƌƟŵĞnto di Ingegneria, ICT e Tecnologie per l’Energia e i TrasporƟ Brevetti Titolo Metodo ed apparato per la produzione di Įlm so li su un substrato mediante processo di deposizione a ele roni pulsa . Rif. CNR 9999 Titolare(i): CNR /ƐƟƚƵƚo: IMEM Inventore di riferimento: Claudio Ferrari Territori di vigenza: IT Data di priorità: 21/11/2008 Abstract L’invenzione riguarda un procedimento per la produzione di Įlm so li su un substrato mediante impulsi di ele roni. De o procedimento comprende l'invio di un fascio di ele roni ad impulsi (3) su un materiale bersaglio (5), situato in prossimità di un substrato (7), in modo tale da causare l'ablazione del materiale bersaglio stesso e la conseguente emissione di e, che si depositano sul substrato per formare uno strato (8) o Įlm; la corrente di scarica del fascio (3) viene misurata per controllare i parametri del processo di deposizione, in pa il tasso di crescita dello strato (8). La misurazione della corrente di scarica si basa sull'u lizzo di una bobina di induzione (27), che non altera il circuito primario (15) ; in p colare, una bobina (27) viene u lizzata secondo una pa colare geometria, denominata "bobina di Rogowski". Background La deposizione con impulsi di ele roni (PED) è una tecnica di po Įsico per la produzione di stra so li di materiali condu vi e diele rici. Anche se i principi generali della deposizione pulsata con ele roni (PED) sono ualmente , i metodi e le apparecchiature attualmente disponibili per le applicazioni tecnologiche e industriali hanno notevoli margini di miglioramento, sop u o in termini di controllo dei parametri di crescita degli s depos e di eĸcienza e velocità di deposizione. . Tecnologia Il metodo e l'apparato dell'invenzione consentono un controllo completo ed accurato del processo di deposizione, consentendo in p colare l’impostazione dei parametri per e massimizzare il tasso di crescita degli stra ; allo stesso tempo, si riesce ad impedire il riscaldamento e la decomposizione del materiale bersaglio e quindi la conseguente modiĮca della stechiometria dello strato depositato risp al materiale bersaglio stesso. Vantaggi e Applicazioni Il metodo ogge del breve o non interferisce con il processo di deposizione, perme e di conoscere in tempo reale della corrente (impulsi di ele roni) e di controllare le variabili associate al processo. Il metodo trova la sua naturale applicazione nel campo della Įsica dei materiali, specialmente nelle scienze dei materiali, in caso di tecniche di crescita ad ele roni pulsa . Stadio di sviluppo L’invenzione, applicata al campo delle celle solari, ha conse di o enere dispos vi ad alta eĸcienza; la sua applicazione consen rà il controllo dei parametri di crescita in macchine pre-industriali. 24 24 24